苹果计划为iPhone改用QLC NAND 存储上限提升至2TB

　　根据国外媒体最新的报道显示，苹果可能会在2026年的iPhone上启用更大存储，预计是2TB。产业链最新透露的情况是，苹果正在加速推进QLC NAND换代，从而将内置存储上限提高到2TB。至于为何使用QLC，可能还是跟苹果控制成本有关。其实在此之前就有消息称，苹果可能会从iPhone 16开始改变存储容量，不再使用三层单元（TLC）NAND闪存，而是在存储容量达到或者超过1TB的机型上使用四层单元（QLC）NAND闪存。

　　与TLC相比，QLC的优势在于每个存储单元可以存储四位数据，在使用相同数量的单元时比TLC能储存更多的数据，或者使用更少的单元储存更多的数据，这样可以降低生产成本。此外，QLC闪存被认为不如TLC闪存可靠，写入数据的耐久性会降低，因为每个单元写入的次数更多，因为每个单元多包含一个位。QLC NAND闪存可以存储16种不同的电荷电平，而TLC仅能存储8种电荷电平。在读取数据时，由于电荷数量增加，裕量减少，这就有可能因为噪声增加从而导致位错误增加。

　　如果苹果真的有用QLC替换TLC的计划，那有可能一些版本的iPhone 16用户可能会遇到数据写入速度低于低容量用户的情况。