Redmi Note 11T Pro+散热规格公布 采用7层立体石墨

　　Redmi终于在近日官宣，全新的Redmi Note 11T系列将于5月24日正式发布，按照Redmi官方的说法，该系列手机堪称“中端机性能之王”，它不光硬件方面极致堆料，而且散热表现也极为出众。

　　预计Redmi Note 11T系列将分为两款型号——Redmi Note 11T Pro和Redmi Note 11T Pro+，其中后者将搭载今年的神U——天玑8100芯片。该芯片使用台积电5nm制程打造，采用4大核4小核设计，大核频率可达2.85GHz，可以流畅运行各类大型游戏、执行各类重度任务。

　　为了可以让天玑8100芯片的性能发挥得更加出色，Redmi Note 11T Pro+在散热方面也进行了大幅升级，VC均热板面积可达2268mm²，相对于上代产品，面积提升了32%。散热石墨也从之前的3层提升到了7层。官方称，这是Redmi Note系列有史以来最强散热。

　　其他方面，Redmi Note 11T Pro+还会搭载144Hz高刷新率LCD屏幕，支持刷新率自适应调节，分辨率达到了FHD+，并且还保留了3.5mm耳机接口。