划时代的5000万像素佳能正式发布5DS/5DS R

佳能已经正式发布EOS 5DS和EOS 5DS R，参数和之前所传闻的相差无几，预计2015年6月出货，佳能EOS 5DS单机定价3699美元，约合人民币2.3万元；佳能EOS 5DS R（无低通滤镜效果）单机定价3899美元，约合人民币2.43万元。

佳能EOS 5DS和EOS 5DS R真机图

佳能EOS 5DS搭载一枚5300万像素全画幅CMOS传感器，有效像素为5060万，佳能 EOS 5DS R为无低通滤镜版本。佳能5DS和5D3使用同样的61个自动对焦点、41个十字形对焦点，并支持EOS iTR AF（智能追踪与识别自动对焦），最高可达到5张/秒的连拍速度；搭载双DIGIC 6处理器，感光度ISO 100-6400，可扩展至ISO 50-12800；新增1.3倍和1.6倍的裁剪模式，SD卡、CF卡双卡槽，支持UHS-I高速接口。

佳能EOS 5DS产品照

佳能EOS 5DS R产品照

佳能EOS 5DS机背图

佳能EOS 5DS机顶图

产品名称	佳能 5DS R特殊低通滤镜版	佳能 5DS普通版	佳能 5D Mark III(单机)
传感器类型	CMOS	CMOS	CMOS
传感器尺寸	全画幅	全画幅	全画幅（36*24mm）
最大像素数	5300万	5300万	2340万
有效像素	5060万	5060万	2230万
影像处理器	双DIGIC 6	双DIGIC 6	DIGIC 5+
高清摄像	全高清（1080）	全高清（1080）	全高清（1080）
对焦方式	EOS iTR AF系统	EOS iTR AF系统	类型：TTL辅助影像重合，相位检测模式：单次自动对焦，人工智能伺服自动对焦，人工智能自动对焦，手动对焦
对焦点数	61点（41个十字形对焦点）	61点（41个十字形对焦点）	61点（最多41个十字型对焦点）
显示屏尺寸	3.2英寸	3.2英寸	3.2英寸
显示屏像素	104万像素液晶屏	104万像素液晶屏	104万像素液晶屏
快门速度	30-1/8000秒	30-1/8000秒	1/60-1/8000秒（场景智能自动模式）闪光同步速度为1/200秒 *使用广角镜头时，快门速度可能为1/60秒或更慢。 b门：30-1/8000秒（总快门速度范围。可用范围随拍摄模式各异）
其它闪光灯性能	闪光同步速度1/200秒	闪光同步速度1/200秒
测光方式	150000点RGB+IR测光传感器	150000点RGB+IR测光传感器	63区TTL全开光圈测光，评价测光（与所有自动对焦点联动），局部测光（取景器中央约6.2%的面积），点测光（取景器中央约1.5%的面积），中央重点平均测光
感光度	原生ISO 100-6400，可扩展至ISO 50-12800	原生ISO 100-6400，可扩展至ISO 50-12800	ISO 100-25600可扩展至50-102400，拍摄视频时ISO 100-12800可扩展至100-25600
短片拍摄	1920×1080，30fps	1920×1080，30fps	1920×1080（全高清晰度）：30p/25p/24p 1280×720（高清晰度）：60p/50p 640×480（标清）：30p/25p * 30p：29.97帧/秒，25p：25.00帧/秒， 24p：23.976帧/秒，60p：59.94帧/秒，50p：50.00帧/秒
连拍功能	支持（最高约5张/秒）	支持（最高约5张/秒）	支持（最高约6张/秒）高速连拍：最高约6张/秒低速连拍：最高约3张/秒静音连拍：最高约3张/秒
存储卡类型	SD卡/CF卡卡槽，支持UHS-I高速接口	SD卡/CF卡卡槽，支持UHS-I高速接口	双卡插槽（CF卡及SD）
HDMI接口	支持（mini HDMI）	支持（mini HDMI）	支持
电池类型	锂电池（LP-E6N/LP-E6）	锂电池（LP-E6N/LP-E6）	锂电池（LP-E6，1800mAh）
外形设计	全镁合金机身，防尘防滴溅	全镁合金机身，防尘防滴溅
外形尺寸	152×116.4×76.4mm	152×116.4×76.4mm	152×116.4×76.4mm
产品重量	约845g（仅机身），930g（包含电池和存储卡）	约845g（仅机身），930g（包含电池和存储卡）	约860g（仅机身），950g（包含电池和存储卡）
编辑能力	拥有1.3x和1.6x裁切模式	拥有1.3x和1.6x裁切模式

·编辑观点：

佳能的这块5000万像素全画幅传感器可以说是一个跨时代的突破，增强的处理器、测光感应器和对焦系统使佳能5DS成为一台兼具高像素和超强对焦能力的综合强机，全镁合金机身和防尘防滴溅性能使其可以在户外有着更为可靠的耐用性。关于佳能5DS的优秀性能请关注我们后续的评测文章。

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clfrog 新会员

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哈，要真是自主研发制造的CMOS，还不敢恭维，晶圆切割工艺门槛明摆着的，至多是内部处理软层面上的优化；宽容度没提升；处理器也亟待升级，双芯方案只是权宜，时间及功耗都是个问题，当然可以通过升级电池缓解。在D800刚推出时我就说过，观音会让它去遭谩骂再到接纳，在这过程只需片面放大所谓均衡就能持续大卖，到高像素被普遍接受再在像素上挤挤做文章，果不出其然，不能不说，商人还是很聪明的。

2015-02-11 回复